本文成文于2023年8月，主要用来记录一次我对于新电脑——天选4酷睿i9版的一次不太成功的散热改造。

(资料图)

购买版本的原来的内存是16G的4800MHz的DDR5双通道内存，得益于这代内存比较高的带宽，绝大多数任务和游戏的瓶颈其实不在这里。但是在DDR5内存价格已经明显下降的当下，我还是选择多加点钱进行升级，即使之前就已知天选酷睿版的CPU，i9-13900H其实只支持到5200MHz的内存频率，我还是买的是标准频率5600M的海力士32G*2的组合，算是加钱把这个U完全伺候到位。

拆机更换的过程对于已经加过固态盘的老油条来说属于相当简单的操作，换完后看着日常学习工作，内存都最少至少还有一半左右空余的感觉，其实蛮爽的。

但是某天打开HWINFO这个监控软件的时候，我突然发现，现在的内存是能够直接看到温度的了，这个是我另外2台DDR4的老电脑做不到的。但是惊喜的同时也带来了疑惑，不对吧，我就开个音乐听歌，开个word写文档+开个浏览器查资料，内存温度怎么分分钟到了50°以上，比我想象的高的有点多。

一通资料查询，发现这个现象还一点都不稀奇，也非常符合理论情况。焦虑也好像没有太大必要。细细想来，此问题真得分为几个方面解释。首先，准确的说软件检测到的这个温度其实是内存上DDR5的SPD HUB芯片，作用好比是此内存的“身份证”，CPU在使用内存前先会询问这块芯片，了解内存的频率和时序，并且按照这种推荐配置使用内存。DDR5的这个身份证芯片内一般同时还集成了温度传感器，软件检测的就是这个。

拿金士顿的图介绍可能更好理解一些，SPD HUB更靠近DDR5内存的电源转换芯片PMIC，而远离了我最关心温度的颗粒芯片。而这个对于SPD来说最近的邻居PMIC可是个发热大户啊，DDR5这代内存新增发热量里很大一部分就是因为挪动PMIC时将热量从主板移到了内存中。正面迎击的SPD HUB热起来是很自然的。

另一方面，内存本身的耐热性是不错的，比如我查到的镁光的内存的资料，内存是可以在0-95°的环境中运行。不过环境温度达到85°-95°时，性能还是会有所下降。这2方面其实都指明了，虽然软件检测的温度不低，但是对于性能的影响应该不大的。

当然，但是光有理论肯定不能让我满足的，抱着试试看的求知想法，我就继续试了下折腾笔记本内存，先说结论，有点失败，结论反而是，笔记本内存完全不需要折腾，无法提升不说还容易有危险。

首先，抱着对于华缩在散热用料上的敷衍程度特有的信心，我准备拿AIDA64直接烤个内存试试看。首先是拷机前的带宽测试，以此当做基准

烤了半小时，还真是不烧不知道，最高温度都已经到100°了，完全是煎蛋的水平啊。

而此时再做次带宽测试，有下降，但是并不多。

查看此时的内存状态，内存频率也是在间跳动，不过时刻的内存时序会比时好不少：

这个时候我就得鞭尸下AMD，我的台式机是7700X也是配的5200的内存，条子的时序比本子上还好点，但是实测的时候就会发现，intel CPU带温度上到90°的笔记本内存，读写效能还是明显强于AMD带的台式机内存，从内存控制器性能来说，intel还是强不少的

大家应该能够看出来，高温让内存性能有所下降，但并不多。不过这个温度还是让当时的我有点方的，自然就是开始计划对于内存散热的改造。

笔记本内存由于对于厚度和大小要求较高，世面上其实没什么产品可以买，兜兜转转就只能选择铜箔散热片或者铜箔+石墨烯散热片。我选的就是铜箔，必须要注意的是，铜箔本身明显是导电的，如果散热铜箔没贴好，磕碰到了其他带电的部分，本子甚至可能被一套带走，所以这是个绝对的细活，只有装上后确认无短路或者搭接的问题，才能上电测试。

DDR5的裸条状态，几个关键芯片都能直接分辨出来

加了铜箔后的条子明显变厚了。

加上的效果图，多说一句，我看新的拆机图里，貌似内存位上已经没有铝箔覆盖在上面了，大家如果要新加装内存的时候可以留个心眼，看看华缩是不是已经把这个干扰屏蔽贴及上面的胶给去除掉了。

换了铜箔散热片后的实验效果反而不太需要展示吗，原因是没啥进步，和原装的贴纸效果在极限情况下完全一样。只有在短时爆发的读写的负载后，能稍微凉的更快一点，好处有，但是只有一点点，在AIDA64烤system memory的这种高负载在，SPD的温度还是接近·100°。再考虑到这个个改造方法，会把本来绝缘的内存背部变得不绝缘了，想想这个改造确实有点劳而无功的意思。下次换硅脂清灰的时候我还准备把上面的铝屏蔽层和胶给撕掉，反正无论是传导热量还是屏蔽干扰，铜箔总比之前的铝箔强一些的，这样也许还能让散热能力提升一点点，不过总体来说，至少对于天选4，内存改造散热效果真的很一般，可以降低2-3°就很不得了了，得不偿失。

最后再破除另一个对于DDR5常见的谬误，“DDR5内存自带双通道，所以不需要再拿2条内存组双通道了”。这个谬误是明显的只对了一半的，前面的内存自带双通道是没错的。拿intel讲解DDR5变化的ppt可以看出，2条总线分别可以访问内存条左右两边的颗粒，但是2条总线组成的总带宽是和DDR4时代的单总线是一致的。所以自带双通道可不代表带宽会因此有所提升。

那这样双总线的实际是没有意义的吗？也不是。这个改进点的初衷在另一个文档里写的比较清楚，提升访问效率并减少延迟。举个极端的例子，你需要存取的数据量不大，且正好在内存的左右2边，DDR4内存就只能用64位寻址通道先读写左边的数据，完成后再读写一次右边的数据，右边内存数据的访问延迟较高。而DDR5就能比较好的解决这个问题，双总线保证能同时访问左右2边的数据，这种场景下，数据延迟能下降大概一半。

了解了原理就不难看出，这种片内双通道主要提升的是数据访问的灵活性，对于总带宽提升没啥用，总带宽提升还是要靠传统的组双通道方法来进行。而大多数人会有此谬误的一个重要原因其实是市面上的第一代DDR5内存就已经至少是4800M的高频内存了，满足大部分游戏和简单工作需求，组双通道的效果并不如之前明显了。

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